BJT AMPLIFIER-6-lShhZHNUTs0

बेसिक इलेक्ट्रॉनिक्स में फिर से आपका स्वागत है।
 इस व्याख्यान में हम एम्पलीफायर लब्धि(gain) खोजने के लिए साधारण एमिटर(emitter) एम्पलीफायर के लिए पूर्ण AC समकक्ष सर्किट का उपयोग करेंगे।
 एम्पलीफायर के लिए DC और AC समाधान का संयोजन हम पूर्ण समाधान प्राप्त करेंगे और सिमुलेशन(simulation) परिणामों के साथ इसकी तुलना करेंगे।
 इसके बाद हम गुणात्मक तरीके से साधारण एमिटर(emitter) एम्पलीफायर की आवृत्ति प्रतिक्रिया देखेंगे और समझाएंगे कि एम्पलीफायर लब्धि(gain) आवृत्ति के साथ क्यों भिन्न होता है।
 आओ शुरू करें।
 फिर से यहां AC सर्किट है और हमने घटक मान जोड़े हैं।
 हम पहले ऐसा करना चाहते हैं कि इस एम्पलीफायर के लिए लब्धि(gain) प्राप्त करना है VO, जो VS द्वारा विभाजित है।
 और हमें याद रखें कि इन सभी मात्रा VS, VO, Vbe इत्यादि सिग्नल मात्राएं हैं।
 तो, हम VO देखें।
 VO क्या है और किसके बराबर है यह विधुत धारा(current) RC और RL के समानांतर संयोजन के माध्यम से जा रहा है और वोल्टेज ड्रॉप(drop) पैदा कर रहा है।
 तो, यह gm गुणा Vbe गुणा RC समांतर RL है, लेकिन वोल्टेज ड्रॉप(drop) उस दिशा में सकारात्मक है और VO को हमारी दूसरी तरफ चिह्नित किया गया है।
 इसलिए, VO उस मात्रा का नकारात्मक है।
 तो,यह माइनस gm Vbi गुणा Rc समांतर RLहै और Vbi क्या है?Vbi बेस ( base)और एमिटर(emitter ) के बीच वोल्टेज है और यह विशेष सर्किट यह Vbi के समान है।
 चूंकि आधार जुड़ा हुआ है वहां उत्सर्जक(emitter) जुड़ा हुआ है।
 तो, Vbi बनाम जैसा ही है, और इसलिए अब हम वोल्टेज AVL द्वारा निर्दिष्ट वोल्टेज लब्धि(gain) की गणना करते हैं।
 चूंकि हमारे पास इनपुट वोल्टेज और आउटपुट वोल्टेज है, यह A वोल्टेज का अनुपात है और यही कारण है कि सबस्क्रिप्ट(Subscript) V और वहां एक सुपरस्क्रिप्ट(Superscript) L है जिसका प्रयोग किया जाता है, क्योंकि लब्धि(gain) में भार प्रतिरोधी RL का प्रभाव शामिल होता है जैसा कि हम देखेंगे।
 तो, वोल्टेज लब्धि(gain) क्या है और VS के संदर्भ में हमारे पास पहले से ही VO है।
 इसलिए, हमें बस दूसरी तरफ VS करना है और फिर हमें AVL के लिए यह अभिव्यक्ति मिलती है।
 इसलिए,यह माइनस gm गुणा Rc समांतर RL है और जैसा कि हम इस अभिव्यक्ति से देख सकते हैं AVL में RL के प्रभाव शामिल है यहां अगर हम RL को किसी अन्य मान में बदलते हैं तो यह बदल जाएगा और इसलिए, AVLबदलने जा रहा है।
 अब अगला कदम इस ट्रांस चालन(trans conductance) पैरामीटर का मूल्यांकन करना है।
 और जैसा कि हमने देखा है कि यह संग्राहक बायस (bias)विधुत धारा से संबंधित है।
 चूंकि ic 1.1 मिलीएम्पियर (milli ampere)है DCया पूर्वाग्रह विधुत धारा(current) gm Vt1.1 मिलीएम्प(milliamp) द्वारा ic के बराबर है 25.9 मिलीवॉल्ट( milli volt) से विभाजित है और यह 42.5 मिलीसेम(milliseimen)या मिलीओहम(milli-ohms) हो जाता है।
और अब हमें बस इतना करना है कि इस अभिव्यक्ति में IC लब्धि(gain) के लिए एक संख्या मिल जाएगी।
 इसलिए, AVL 10 के साथ समानांतर में 42.5 मिलीओम(milli-ohms) गुणा 3.6 के बराबर है और यह -112.5 हो गया है।
 यहां इस नकारात्मक संकेत का महत्व है, और यह क्या कहता है कि यदि यह VS बढ़ेगा तो VO कम हो जायेगा।
 तो, वे एक दूसरे के साथ स्थिति से बाहर हैं।
 आइए अब 2 मिलीवोल्ट्स (milli volts) ओमेगा (omega)tके इनपुट वोल्टेज के लिए आउटपुट वोल्टेज की गणना करें।
 तो, यह 2 मिलीवोल्ट्स (milli volts) साइनसॉइडल(Sinusoidal) इनपुट वोल्टेज का आयाम है, Vo AVL टाइम्स बनाम है।
 AVL हम पहले से ही 112.5 गुना बनाम शून्य से जानते हैं जो यहां है।
 तो, यह 225 मिलीवोल्ट्स (milli volts) गुणा ज्या(sin) ओमेगा(omega) T से कम हो जाता है।
 तो, इनपुट आयाम 2 मिलीलीटर वोल्ट है जो आउटपुट आयाम 225 मिली वोल्ट है; तो इनपुट वोल्टेज से निश्चित रूप से काफी बड़ा है।
 कलेक्टर विधुत धारा(current) के बारे में क्या? हम अब सिग्नल विधुत धारा(signal current) के बारे में बात कर रहे हैं कि gmटाइम्स Vbi है जो कलेक्टर विधुत धारा(signal current) है, हमारे पास पहले से ही gm 42.5 मिलीओहम और Vs 2 मिली वोल्ट(milli volt) है।
 इसलिए, अगर हम मूल्यांकन करते हैं कि इस मिली(milli) गुणा मिली(milli), माइक्रो(micro) 42.5 गुणा 2 85 है।
 तो 85 गुना ज्या(sin) ओमेगा(omega) T जो कई सूक्ष्मदर्शी है।
 अब हम इंस्टैंटनेयस(instantaneous) विधुत धाराओं (currents) और वोल्टेज के लिए अभिव्यक्ति प्राप्त कर सकते हैं, हम आउटपुट वोल्टेज या कलेक्टर पर वोल्टेज में रूचि रखते हैं।
 और यह DC वैल्यू (value)VCप्लस VS(t) होगा।
 और VC बायस(bias) मान हैं।
 जो हमने पहले ही इस उदाहरण के लिए 6 वोल्ट देखा है और सिग्नल वैल्यू माइनस (225mV)ज्या(sin)ओमेगा(omega) t है ।
 तो, यह कलेक्टर पर कुल तात्कालिक वोल्टेज है।
 और यदि हम इस नोड पर कुल तात्कालिक वोल्टेज को देखते हैं, तो हम DC भाग को नहीं देख पाएंगे क्योंकि संधारित्र DC को अवरुद्ध करने जा रहा है कि DC वोल्टेज कैपेसिटर में दिखाई देने वाला है।
 और यहां हम केवल सिग्नल भाग (225mV)ज्या(sin)ओमेगा(omega) t को देखने जा रहे हैं।
 कुल तात्कालिक कलेक्टर विधुत धारा(current) के बारे में क्या? जैसा कि हमने पहले देखा है,बायस(bias) विधुत धारा(current) 1.1 मिलीमीटर(mA) है, सिग्नल विधुत धारा(current) जैसा कि हमने अंतिम स्लाइड पर देखा है, iC(t) 85ज्या(sin)ओमेगा(omega)tμ(mu)A है जो 0.085 ज्या(sin)ओमेगा(omega) t मिलीएम्पेयर (mill amperes) के समान है।
इसलिए, अगर हम इस वोल्टेज को इंस्टैंटनेयस(instantaneous) कलेक्टर वोल्टेज प्लॉट(plot) करते हैं और लगभग 6 वोल्ट देखने जा रहे हैं, हम एक भिन्नता देखने जा रहे हैं जिसमें 225 मिली वोल्ट का आयाम है।
 इसी प्रकार, यदि हम इंस्टैंटनेयस कलेक्टिव करेन्ट (instantaneous collective current) की साजिश करते हैं तो हम 1.1 मिलीमीटर को आधार(base) स्तर के रूप में देखने जा रहे हैं कि हम आयाम को 0.085 मिलीएम्पियर के आयाम के साथ भिन्नता देखने जा रहे हैं।
 आइए अब कुछ टिप्पणियां करें।
 जिस प्रक्रिया का हमने पालन किया है वह DC और AC सर्किट को अलग से ट्रीट कर रहा है और फिर परिणाम जोड़ रहा है कि प्रक्रिया केवल तभी उपयोग की जा सकती है जब छोटे सिग्नल सन्निकटन मान्य हो।
 VT की तुलना में यह Vbe का परिमाण छोटा होना चाहिए।
 हमारे उदाहरण में यदि आप अंतिम स्लाइड को याद करते हैं तो Vbe का आयाम VS के आयाम जैसा ही था।
 और यह निश्चित रूप से VT से बहुत छोटा था।
 और इसलिए, यहां प्राप्त किए गए परिणाम वैध हैं।
 यदि VS बना दिया गया था तो हम 20 मिलीलीटर वोल्ट का आयाम बताते हैं जिसका मतलब है कि Vbe का आयाम भी हमारे सर्किट में 20 मिलियन वोल्ट होगा।
 फिर छोटे सिग्नल सन्निकटन नहीं होंगे और अलग DC और AC विश्लेषण की हमारी प्रक्रिया अब मान्य नहीं है।
 और उस स्थिति में विधुत धारा(current) और वोल्टेज प्राप्त करने के लिए एक संख्यात्मक सिमुलेशन(simulation) की आवश्यकता होगी।
 और इस तरह के सिमुलेशन(simulation) में क्या किया जाता है ट्रांजिस्टर मॉडल उदाहरण के लिए माना जाता है, ईबर मॉल मॉडल(ebers moll model) या पूरे सर्किट के लिए गैमर पोर मॉडल(Gammer pore model) और सर्किट समीकरण जैसे अधिक उन्नत मॉडल को समाधान प्राप्त करने के लिए एक साथ हल किया जाता है।
 अभ्यास में VTe की तुलना में बड़ी Vbe के साथ ऐसी स्थिति वैसे भी प्रचलित नहीं है जो बहुत साधारण नहीं है।
 और ऐसा इसलिए है क्योंकि जैसा कि हमने पहले देखा है जो आउटपुट वोल्टेज में विकृति देगा।
 तो, यहां तक ​​कि एक साइनसॉइडल(sinusoidal) इनपुट वोल्टेज के लिए, आउटपुट वोल्टेज अब साइनसॉइडल(sinusoidal) नहीं होगा और यह निश्चित रूप से एक ऐसी स्थिति है जिसे हम नहीं चाहते हैं।
 इसलिए, साधारण तौर पर इस छोटे सिग्नल सन्निकटन विशेष रूप से इस प्रकार के सर्किट के लिए मान्य होगा और इसलिए, हम अलग-अलग DC और AC विश्लेषण का उपयोग कर सकते हैं जैसा हमने यहां किया है।
 ऐसे कुछ एम्पलीफायर हैं, जिन्हें क्लास C एम्पलीफायर कहा जाता है जिसमें ट्रांजिस्टर होता है।
 वास्तव में, रैखिक क्षेत्र में परिचालन नहीं कर रहा है जिसे इसे काट ऑफ(cut-off) और रैखिक क्षेत्र में संचालित करने के लिए बनाया जाता है, और उस स्थिति में इन सभी का उपयोग नहीं किया जा सकता है क्योंकि छोटे सिग्नल सन्निकटन निश्चित रूप से उस मामले में टॉस(toss) के लिए जाते हैं, और फिर हम सर्किट के संख्यात्मक सिमुलेशन(simulation) या इसका विश्लेषण करने के कुछ अन्य अनुमानित तरीके की आवश्यकता होती है।
 अब हम यह देखने के लिए कुछ सिमुलेशन(simulation) परिणामों को देखेंगे कि क्या ये तरंगें वास्तव में हैं जो हम उम्मीद करते हैं।
 तो, आइए जल्दी से इन समीकरणों के माध्यम से VC(t) में जाने दें ।
 DC मान6 वोल्ट का होना चाहिए।
 और यह लगभग 22 वोल्ट है जो 225 मिलीवोल्ट के आयाम के साथ 6 वोल्ट है।
 जिसका मतलब है कि चोटी के चरम पर 225 x 2 के बराबर है 450 मिलीलीटर या 0.45 वोल्ट है।
 इसलिए, हम उस नंबर को याद करते हैं जब हम सिमुलेशन(simulation) कारणों को देखते हैं तो हम यह सत्यापित करेंगे कि हम यही देखते हैं।
 कलेक्टर विधुत धारा(current) में DC 1.1 मिलएम्पियर का घटक होता है और यह चरम भिन्नता के लिए शीर्ष है 0.085 x2के बराबर है 0.17 मिलीएम्पियर।
 सिमुलेशन(simulation) परिणाम यहां दिए गए हैं।
 यह ग्राफ यहां इनपुट वोल्टेज VS है।
 जैसा कि यहां बताया गया है कि 2 मिलीवॉल का आयाम है।
 और हम 2 चक्र दिखा रहे हैं जिसका अर्थ है 2 मिलीसेकंड्स क्योंकि हमारी आवृत्ति 1 किलोहर्ट्ज है।
 तो, यह 1 मिलीसेकंड है।
 और यह 2 मिलीसेकंड है ।
 तो, यह 1 x 2के बराबर है2 मिलीसेकंड है और इनपुट वोल्टेज 0 से 0.002 तक जा रहा है जो 2 मिलीवोल्ट है और फिर घटाकर -0.002 हो गया है।
 तो, यह - 2 मिलीवोल्ट और +2 मिलीवॉल्ट के बीच भिन्न है।
 चूंकि इनपुट वोल्टेज कलेक्टर विधुत धारा(current) में भिन्न होता है, यह भी बदलता है कि संग्राहक विधुत धारा(current) है।
 और जैसा कि हम देखते हैं कि यह DC मान है, यह 1.1 मिलीएम्प(mA) की तरह कुछ है, विधुत धारा(current) में यहां मिलियंप में है।
 तो, यह DC मान 1.1 मिलियन है और यह इसके आसपास बदलता है।
 और हम उम्मीद करते हैं कि यदि आप याद करते हैं तो आयाम या शिखर चरम भिन्नता 0.17 मिलीएम्प(mA) होने की उम्मीद है।
 तो, चलिए चलते हैं कि क्या हो रहा है।
 यह 0.05 मिलीमीटर के बराबर है1.2 - 1.15 है।
 तो, हमारे पास 0.05 अन्य ,0.05 अन्य, 0.05 है, इसलिए 0.15 और थोड़ा सा।
 तो, यह वास्तव में 0.17 mA की तरह दिखता है जैसा हम उम्मीद करेंगे।
 और यह उस नोड पर BC कलेक्टर वोल्टेज है।
 और हम उम्मीद करते हैं कि हम उम्मीद करते हैं कि यह 6 वोल्ट के आसपास केंद्रित हो जो कि VC का पूर्वाग्रह मान है।
 और हम पिछली स्लाइड से चोटी को वोल्टेज को 0.45 होने की उम्मीद करते हैं।
 इसके अलावा हम उम्मीद करते हैं कि लब्धि(gain) नकारात्मक हो सकता है कि यह वोल्टेज इस वोल्टेज से विभाजित है, सिग्नल भाग नकारात्मक है; इसका मतलब है, हम उम्मीद करते हैं कि VC इनपुट वोल्टेज स्टेप से बाहर हो।
 और यह वास्तव में हम देखते हैं कि यह इनपुट वोल्टेज है और यह कलेक्टर वोल्टेज है।
 तो, निश्चित रूप से वे स्थिति से बाहर हैं जब यह घटता है और घटता है, तो यह बेस (base) मान है या DC मान 6 वोल्ट वास्तव में बहुत करीब है और शीर्ष चोटी के चरम पर चोटी(peak) देखते हैं कि यह कितना है, यह एक विभाजन है 0.1 वोल्ट तो, हमारे पास 0.1, 0.1, 0.1 है और 0.02 या ऐसा कुछ या ऐसा कुछ हो सकता है।
 तो, यह 0.42 या 0.43 है और हम 0.45 की उम्मीद करते हैं।
 तो, यह काफी करीब है।
 इसलिए, हमारी गणना पाठ्यक्रम के काफी सटीक और थोड़ी-थोड़ी भिन्नता है, उम्मीद है क्योंकि यहां उनका मॉडल इस्तेमाल किया गया है, जो हमारे गणनाओं में हमने जो किया है, वैसा ही नहीं हो सकता है।
 इसलिए, यह हमारी गणना को प्रोत्साहित कर रहा है काम करने लगता है और; इसका मतलब है, हम उन विधियों का उपयोग कर सकते हैं जिन पर हमने चर्चा की थी।
 अब सिमुलेशन के अलावा यदि आप प्रयोगशाला में जाते हैं और सर्किट को हुक करते हैं तो आपको निश्चित रूप से एक ही परिणाम देखने की उम्मीद करनी चाहिए।
 तो, आप 2 मिलीवॉल्ट आयाम के इनपुट वोल्टेज को लागू कर सकते हैं और देख सकते हैं कि आउटपुट वोल्टेज वास्तव में ऐसा दिखता है या नहीं।
 प्रयोगशाला में आप आसानी से आयाम 2 mV के साथ इनपुट वोल्टेज को लागू करने में सक्षम नहीं हो सकते हैं और आपको यहां संभावित विभक्त रेजिमेंट(divider regiment) का उपयोग करने की आवश्यकता हो सकती है लेकिन यह काफी सीधे आगे है और उम्मीद है कि आप ऐसा करने में सक्षम होंगे।
 अगर हम इनपुट वोल्टेज आयाम बढ़ाते हैं तो क्या होता है? 2 चीजें: एक आउटपुट वोल्टेज आयाम या कलेक्टर वोल्टेज आयाम बढ़ जाएगा।
 दूसरा यदि इनपुट आयाम बहुत बड़ा है, तो हमारा छोटा सिग्नल सन्निकटन(approximation) अब और अधिक नहीं हो सकता है, और इससे आउटपुट वोल्टेज या कलेक्टर पर वोल्टेज में कुछ विकृति हो जाएगी।
 तो, आइए अब इन बिंदुओं को देखें।
 यहां हमारे मूल इनपुट वोल्टेज, आयाम 2 मिलीवॉल्ट्स हैं और यह हमारा मूल कलेक्टर वोल्टेज है और यह किसी विकृति के बिना साइनसॉइडल(sinusoidal) है।
 यहां 2 और मामले हैं।
 यह मामला 10 मिलीवॉल (mV) के इनपुट आयाम और इस मामले से 15 मिलीवॉल तक मेल खाता है।
 अब संबंधित संग्राहक वोल्टेज तरंगों को यहां दिखाया गया है।
 जब इनपुट आयाम 10 मिलीवॉल होता है तो हम कुछ विरूपण देखना शुरू करते हैं; सकारात्मक आधा जो अब नकारात्मक आधे से अलग दिख रहा है।
 अगर हम 15 मिलीवॉल तक इनपुट आयाम बढ़ाते हैं, तो हमारे पास यह आउटपुट वेवफ़ॉर्म है।
 और अब विरूपण अधिक स्पष्ट है कि यह सकारात्मक आधा निश्चित रूप से ऋणात्मक आधे से अधिक तरीके से व्यापक दिखता है।
 इसलिए, ये चीजें हैं जिन्हें हमें एम्पलीफायर का उपयोग करते समय ध्यान में रखने की आवश्यकता होती है।
 हमें अवगत होना चाहिए कि इनपुट वोल्टेज आयाम पर एक सीमा है, इसके अतिरिक्त आउटपुट वोल्टेज में कुछ विरूपण हो सकता है।
 आइए अब एक साधारण एमिटर(emitter ) एम्पलीफायर की आवृत्ति प्रतिक्रिया पर एक संक्षिप्त नज़र डालें और उदाहरण इस साजिश में दिखाया गया है।
 हम आवृत्ति प्रतिक्रिया को कैसे मापते हैं? यहां हम एक निश्चित आयाम और एक निश्चित आवृत्ति के साथ इनपुट वोल्टेज लागू करते हैं।
 हम आउटपुट वोल्टेज मापते हैं।
 फिर हम आउटपुट आयाम और इनपुट आयाम का अनुपात लेते हैं।
 और यह हमें उस विशेष आवृत्ति के लिए लब्धि(gain) देता है।
 फिर हम अगली आवृत्ति पर जाते हैं और इसी तरह।
 और जब हमारे पास इन सभी डेटा बिंदु हैं तो हम लब्धि(gain) को आवृत्ति के कार्य के रूप में साजिश देते हैं।
 यह एक उदाहरण है।
 और हमें निश्चित रूप से याद रखना चाहिए कि इनपुट वोल्टेज का आयाम हमेशा पर्याप्त छोटा रहता है।
 तो, आउटपुट वोल्टेज में कोई विकृति नहीं है।
 अब, जैसा कि हम इस प्लॉट (plot) में देखते हैं, लब्धि(gain) काफी स्थिर नहीं है, लेकिन लब्धि(gain) की आवृत्ति निर्भरता है।
 जब आवृत्ति कम होती है तो यह गिर जाती है, तो यह कुछ विशेष श्रेणी में इस विशेष सर्किट के लिए स्थिर होती है और फिर फिर आवृत्ति उच्च होने पर फिर लब्धि(gain) गिर जाता है।
 अब आवृत्ति निर्भरता कहां से आती है, यह देखने में आसान है कि हम रेजिस्टर V के लिए संबंध को i x r के बराबर लेते है।
 और रिश्ते में कोई ओमेगा(omega) नहीं है।
 तो, आवृत्ति निर्भरता निश्चित रूप से प्रतिरोधकों से नहीं आ सकती है।
 इसी तरह, इस वोल्टेज नियंत्रित विधुत धारा(current) स्रोत में कोई ओमेगा(omega) नहीं है और यह संबंध है।
 तो, ओमेगा(omega) में कैपेसिटर क्या है।
 तो, इन सभी कैपेसिटर CB Cपाई(Pi) CE इत्यादि एक प्रतिबाधा पेश करते हैं जो आवृत्ति पर निर्भर करता है।
 इसलिए, सर्किट आवृत्ति निर्भर हो जाता है और इसलिए, लब्धि(gain) आवृत्ति निर्भर हो जाता है।
 और एक गुणा जब हम इस बिंदु को समझते हैं तो यह देखना आसान होना चाहिए कि साधारण एमिटर(emitter ) एम्पलीफायर में हमारे पास इस प्रकार का व्यवहार क्यों है।
 कैपेसिटेंस(capacitances) CB , CE और CC माइक्रोफार्ड रेंज या यहां तक ​​कि बड़े पैमाने पर बड़े हैं।
 और इन क्षमताओं के लिए 1 / ओमेगा(omega)C में से एक उनके द्वारा प्रस्तुत प्रतिबाधा लापरवाही से छोटा है।
 यह कम आवृत्तियों को छोड़कर शॉर्ट सर्किट की तरह हैं।
 अब यह इस प्लॉट(plot) में देखा जा सकता है जहां हम संधारित्र द्वारा आवृत्ति के एक प्लॉट(plot) के रूप में प्रस्तुत प्रतिबाधा की योजना बना रहे हैं।
 अनिवार्य रूप से यह ओमेगा(omega)C से अधिक है, और क्योंकि यह एक लॉग प्लॉट है क्योंकि इन अक्षों में से दोनों लॉग अक्ष हैं, यह मात्रा सीधी रेखा की तरह दिखती है।
 इसलिए, जैसा कि हम इस मामले के लिए 1/ओमेगा(omega)C देखते हैं बहुत छोटा है।
 यह 1 ओम(ohms) है यह 100 ओम है।
 तो, यह आवृत्ति सीमा में 1 ओम या छोटा है।
 और जब आवृत्तियों कम होती है तो यह केवल सराहनीय हो जाती है।
 आइए 1 किलो हर्ट्ज या उससे कम कहें।
 उदाहरण के लिए निम्नलिखित क्या होता है, हम CB पर विचार करें।
 इस सीमा में जब आवृत्ति पर्याप्त होती है तो CB शॉर्ट सर्किट की तरह होती है और इसलिए, यह VS एम्पलीफायर के रूप में दिखाई देता है।
 अब जब आवृत्ति कम है उदाहरण के लिए, यदि हम इस क्षेत्र में हैं तो आवृत्ति 100 हर्ट्ज(hertz) या 10 हर्ट्ज(hertz) हो सकती है, और CB द्वारा प्रस्तुत प्रतिबाधा तब किलो ओम(kilo-ohms)kओमेगा(omega) रेंज में हो सकती है।
 अब यह इस पोर्ट (port) से देखी गई प्रतिबाधा के तुलनीय हो जाता है।
 और अब CB और बाकी सर्किट के बीच VS वोल्टेज डिVजन है और इसलिए, सर्किट VS की तुलना में एक छोटा वोल्टेज देखता है।
 और इन कारणों से कम आवृत्तियों पर लब्धि(gain) में गिरावट आई है।
 दूसरी तरफ, कैपेसिटेंस Cपाई(Pi) और Cμ(mu) डिवाइस कैपेसिटेंस छोटे हैं जो वे चरम दूर के रेंज में हैं और इन 1 / ओमेगा(omega)C के लिए बहुत बड़ा है कि वे उच्च आवृत्तियों को छोड़कर खुले सर्किट की तरह हैं।
 और हम यहां भी इस प्लॉट (plot)में देख सकते हैं।
 यह 100 मेगा ओहम(mega-ohms) है यह 1 मेगाओम(mega-ohms) है।
 इसलिए, 1 पिकोफैरड(picofarads) की क्षमता से प्रस्तुत प्रतिबाधा केवल इस सीमा में पर्याप्त है।
 और अन्यथा यह इस सर्किट में R1, R2, RE, RC, RL जैसे अन्य प्रतिरोधों की तुलना में काफी अधिक है।
 आवृत्ति पर्याप्त रूप से कम है, इस क्षेत्र में Cपाई(Pi) और Cμ(mu) द्वारा प्रस्तुत प्रतिबाधा बहुत ऊँचा है।
 आइए 1 कमजोर या 1 बड़ा कहें।
 और फिर इन्हें ओपन(open)सर्किट के रूप में माना जा सकता है।
 और फिर यह सब Rपाई(Pi) के माध्यम से गुजरता है और यह संग्राहक पर कुछ आउटपुट वोल्टेज उत्पन्न करता है।
 अब कल्पना करें कि आवृत्ति बढ़ गई है कि हम कहीं यहां हैं; इसका मतलब है, Cपाई(Pi) और Cμ(mu) द्वारा प्रस्तुत प्रतिबाधा अब छोटा हो गया है।
 और अब यह विधुत धारा(current) विभिन्न शाखाओं में विभाजित होने जा रहा है और यह इस Rपाई(Pi) के माध्यम से विधुत धारा(current) को कम करने जा रहा है जिससे आउटपुट वोल्टेज में कमी आती है।
 तो, यही कारण है कि इस क्षेत्र में लगभग क्या हो रहा है।
 संक्षेप में साधारण एमिटर(emitter ) एम्पलीफायर आवृत्ति प्रतिक्रिया में 3 क्षेत्र हैं।
 यहां इस क्षेत्र में एक मध्य-बैंड क्षेत्र(mid-band region) है।
 इस क्षेत्र में बड़ी क्षमता छोटे सर्किट की तरह व्यवहार करती है, और छोटी क्षमताएं खुली सर्किट की तरह व्यवहार करती हैं।
 तो, CB, CC, CE शॉर्ट सर्किट की तरह व्यवहार करते हैं, Cपाई(Pi) और Cμ(mu) ओपन सर्किट की तरह व्यवहार करते हैं।
 और यह वह सीमा है जिसे हमने अपने विश्लेषण में माना है यदि हमें याद है, तो हमने लब्धि(gain) अभिव्यक्ति प्राप्त करने में विचार किया है।
 फिर वहां कम आवृत्ति क्षेत्र होता है जिसमें बड़े कैपेसिटर युग्मन कैपेसिटर(coupling capacitors) और बाईपास कैपेसिटर(bypass capacitor) होते हैं।
 वे पर्याप्त रूप से बड़ी प्रतिबाधा पेश करना शुरू करते हैं और इसलिए लब्धि(gain) में कमी आती है।
 फिर एक उच्च आवृत्ति क्षेत्र है, जिसमें Cपाई(Pi) और Cμ(mu) की वजह से प्रतिबाधा काफी कम हो जाती है और इससे इस क्षेत्र में लब्धि(gain) में कमी आती है।
 इसलिए, यह एक एम्पलीफायर की एक सामान्य आवृत्ति प्रतिक्रिया है और हमारे सिग्नल के आधार(base) पर हमें यह सुनिश्चित करने की ज़रूरत है कि हम मध्य बैंड क्षेत्र (mid-band region) में परिचालन कर रहे हैं जहां हम एम्पलीफायर के लिए डिज़ाइन किए गए लब्धि(gain) की अपेक्षा करते हैं।
 संक्षेप में, हमने साधारण एमिटर(emitter ) एम्पलीफायर के लिए लब्धि(gain) गणना पूरी की है।
 इसके अलावा दिए गए इनपुट सिग्नल के लिए हमने DC प्लस AC के पूर्ण समाधान को पूरा किया और सिमुलेशन(simulation) परिणामों के साथ इसकी तुलना की।
 हमने आवृत्ति के साथ एम्पलीफायर लब्धि(gain) की विविधता पर गुणात्मक रूप लिया है और इस व्यवहार के लिए जिम्मेदार कारकों को इंगित किया है।
 अगली कक्षा में, हम एम्पलीफायर के सामान्य प्रतिनिधित्व को देखेंगे।
 तो, अगली गुणा आप देखेंगे।